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2SD602

更新时间： 2024-01-15 12:00:32

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SECOS		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	348K
描述
NPN Plastic-Encapsulate Transistor

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2SD602 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.68
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	25 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	85
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

2SD602 数据手册

2SD602, 602A

NPN Plastic-Encapsulate Transistor

Elektronische Bauelemente

RoHS Compliant Product

A suffix of “-C” specifies halogen and lead free

FEATURES

SOT-23

Min

Collector

Dim

Max

For general amplification

Complementary to 2SB710 and 2SB710A

Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

2.800 3.040

1.200 1.400

0.890 1.110

0.370 0.500

1.780 2.040

0.013 0.100

0.085 0.177

0.450 0.600

0.890 1.020

2.100 2.500

0.450 0.600

Base

Emitter

MARKING CODE

2SD602:

2SD602A: XQ, XR, XS

WQ1, WR1, WS1

Top View

All Dimension in mm

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta = 25°C

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

2SD602

Collector to Base Voltage

V_CBO

2SD602A

2SD602

Collector to Emitter Voltage

V_CEO

2SD602A

Emitter to Base Voltage

Collector Currrent

V_EBO

I_C

500

200

Total Power Dissipation

Junction, Storage Temperature

T_J, T_STG

+150, -55 ~ +150

℃

CHARACTERISTICS at Ta = 25°C

PARAMETER

TEST CONDITIONS

SYMBOL MIN. TYP. MAX.

UNIT

2SD602

2SD602A

Collector-Base Breakdown Voltage

I_C= 10 µA, I_E= 0

V_(BR)CBO

2SD602

2SD602A

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 10 mA, I_B= 0

V_(BR)CEO

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector Cutoff Current

I_E= 10 µA, I_C= 0

V_CE= 20V, I_B= 0

V_EB= 5V, I_C= 0

V_(BR)EBO

I_CEO

0.1

μA

Emitter Cutoff Current

I_EBO

Collector-Emitter Saturation Voltage

(pulse test)

I_C= 300mA, I_B= 30mA

V_CE(sat)

0.6

V_CE= 10 V, I_C= 150 mA

_CE= 10 V, I_C= 500 mA

h_FE(1)

h_FE(2)

f_T

340

DC Current Gain (pulse test)

200

Transition Frequency

Output Capacitance

V_CE= 10V, I_C= 50mA, f = 200MHz

V_CB= 10V, I_E= 0, f = 1MHz

MHz

C_OB

CLASSIFICATION OF h_FE1

Rank

2SD602

Range

85 - 170

120 - 240

170 - 340

2SD602A

01-June-2005 Rev. A

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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2SD602A	PANASONIC	Silicon NPN epitaxial planer type	获取价格
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