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2SD415R-AZ

更新时间： 2024-02-27 22:00:47

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瑞萨 - RENESAS		局域网放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	134K
描述
800mA, 100V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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2SD415R-AZ 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.32
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	45 MHz	Base Number Matches：	1

2SD415R-AZ 数据手册

DATA SHEET

SILICON POWER TRANSISTOR

2SB548, 549/2SD414, 415

PNP/NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS

FEATURES

PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)

• Ideal for audio amplifier drivers with 30 W to 50 W output

• High voltage

• Available for small mount spaces due to small and thin package

• Easy to be attached to radiators

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

2SB548/ 2SB549/ Unit

2SD414

2SD415

−100/120

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

V^CBO

V^CEO

−80/80

−100/100

−5.0/5.0

V^EBO

−0.8/0.8

−1.5/1.5

1.0

I^C(DC)

Collector current

I^C(pulse)*

P^T(Ta = 25°C)

P^T(Tc = 25°C)

T^j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

°C

Electrode Connection

150

−55 to +150

T^stg

* PW ≤ 10 ms, duty cycle ≤ 50%

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

I^CBO

Conditions

V^CB= −80/80 V, I^E= 0

V^EB= −3.0/3.0 V, I^C= 0

V^CE= −5.0/5.0 V, I^C= −2.0/2.0 mA*

V^CE= −5.0/5.0 V, I^C= −200/200 mA*

I^C= −500/500 mA, I^B= −50/50 mA*

V^CE= −5.0/5.0 V, I^C= −100/100 mA

V^CB= −10/10 V, I^E= 0, f = 1.0 MHz

MIN.

TYP.

MAX.

Unit

µA

−1.0/1.0

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

DC current gain

I^EBO

h^FE1

DC current gain

h^FE2

320

−0.4/0.3 −2.0/2.0

−0.9/0.9 −1.5/1.5

70/45

Collector saturation voltage

Base saturation voltage

Gain bandwidth product

Collector capacitance

V^CE(sat)

V^BE(sat)

f^T

MHz

C^ob

25/15

Pulse test PW ≤ 350 µs, duty cycle ≤ 2%

h^FE2CLASSIFICATION

Marking

h^FE2

40 to 80

60 to 120

100 to 200

160 to 320

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D16141EJ2V0DS00

Date Published April 2002 N CP(K)

Printed in Japan

2002

1998

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD415S-AZ	RENESAS	获取价格	800mA, 100V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD416	SANYO	获取价格	2SD416
2SD424	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SD424	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SD424O	ISC	获取价格	Transistor
2SD424R	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 15 A, 180 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3, BIP General Purpose Power
2SD425	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SD425	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SD426	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
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