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2SD427

更新时间： 2024-01-22 11:36:41

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	200K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD427 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.46
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	8 A
集电极-发射极最大电压：	120 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JEDEC-95代码：	TO-3
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SD427 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistors

2SD427

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 120V(Min)

·High Power Dissipation-

: P_C= 80W(Max)@T_C=25℃

·Complement to Type 2SB557

APPLICATIONS

·Designed for power amplifier applications.

·Recommended for 50W high-fidelity audio frequency

amplifier output stage.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

120

UNIT

Collector Current-Continuous

Emitter Current-Continuous

I_E

-8

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

Storage Temperature

150

-65~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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