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2SD439E

更新时间: 2024-01-24 17:41:11
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安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
10页 843K
描述
TRANSISTOR,BJT,NPN,18V V(BR)CEO,1.2A I(C),TO-126

2SD439E 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.06
最大集电极电流 (IC):1.2 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):100最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):8 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
标称过渡频率 (fT):150 MHzBase Number Matches:1

2SD439E 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD439F ETC

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TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 1.2A I(C) | TO-126
2SD4419 ETC

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2SD4538 ETC

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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 800V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-247VAR
2SD458 ISC

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Silicon NPN Power Transistors
2SD4603 ETC

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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 800V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-247VAR
2SD467 HITACHI

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TO-92
2SD467B ETC

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TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 700MA I(C) | TO-92
2SD467B-E RENESAS

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700mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-92(1), 3 PIN