5秒后页面跳转
2SD438E PDF预览

2SD438E

更新时间: 2024-02-15 09:17:48
品牌 Logo 应用领域
三洋 - SANYO 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 409K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92VAR

2SD438E 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.79
最大集电极电流 (IC):0.7 A集电极-发射极最大电压:80 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):280
JESD-30 代码:O-PBCY-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.9 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzBase Number Matches:1

2SD438E 数据手册

 浏览型号2SD438E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SD438E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SD438E的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SD438E的Datasheet PDF文件第5页 

与2SD438E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD438F SANYO

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92VAR
2SD438G SANYO

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92VAR
2SD439 ONSEMI

获取价格

TRANSISTOR,BJT,NPN,18V V(BR)CEO,1.2A I(C),TO-126
2SD439D ONSEMI

获取价格

TRANSISTOR,BJT,NPN,18V V(BR)CEO,1.2A I(C),TO-126
2SD439E ONSEMI

获取价格

TRANSISTOR,BJT,NPN,18V V(BR)CEO,1.2A I(C),TO-126
2SD439F ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 1.2A I(C) | TO-126
2SD4419 ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 800V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-247VAR
2SD4538 ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 800V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-247VAR
2SD458 ISC

获取价格

Silicon NPN Power Transistors
2SD4603 ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 800V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-247VAR