Datasheet > 2SD424

2SD424

更新时间： 2024-01-30 09:47:30

品牌	Logo	应用领域
SAVANTIC		晶体晶体管开关局域网
页数	文件大小	规格书
3页	113K
描述
Silicon NPN Power Transistors

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SD424 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.76	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	15 A	集电极-发射极最大电压：	180 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JEDEC-95代码：	TO-3	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	5 MHz	Base Number Matches：	1

2SD424 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD424

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Complement to type 2SB554

·High power dissipation

·High collector-emitter breakdown voltage

: V_CEO=180V(min)

APPLICATIONS

·Power amplifier applications

PINNING(see Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Collector

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=ꢀ )

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

180

UNIT

Open base

180

Open collector

I_B

Base current

1.5

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25ꢀ

150

ꢀ

T_j

150

T_stg

-55~150

ꢀ

12 3

中文翻译

下载PDF

与2SD424相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD424O	ISC	获取价格	Transistor
2SD424R	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 15 A, 180 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3, BIP General Purpose Power
2SD425	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SD425	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SD426	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SD426	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SD427	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SD428	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SD428	TOSHIBA	获取价格	SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TRANSISTOR
2SD428R	ISC	获取价格	Transistor