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2SD414Q

更新时间： 2024-02-28 15:50:28

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		局域网放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	131K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

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2SD414Q 技术参数

生命周期：	End Of Life	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.62	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.8 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	10 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	70 MHz

2SD414Q 数据手册

DATA SHEET

SILICON POWER TRANSISTOR

2SB548, 549/2SD414, 415

PNP/NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS

FEATURES

PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)

• Ideal for audio amplifier drivers with 30 W to 50 W output

• High voltage

• Available for small mount spaces due to small and thin package

• Easy to be attached to radiators

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

2SB548/ 2SB549/ Unit

2SD414

2SD415

−100/120

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

V^CBO

V^CEO

−80/80

−100/100

−5.0/5.0

V^EBO

−0.8/0.8

−1.5/1.5

1.0

I^C(DC)

Collector current

I^C(pulse)*

P^T(Ta = 25°C)

P^T(Tc = 25°C)

T^j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

°C

Electrode Connection

150

−55 to +150

T^stg

* PW ≤ 10 ms, duty cycle ≤ 50%

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

I^CBO

Conditions

V^CB= −80/80 V, I^E= 0

V^EB= −3.0/3.0 V, I^C= 0

V^CE= −5.0/5.0 V, I^C= −2.0/2.0 mA*

V^CE= −5.0/5.0 V, I^C= −200/200 mA*

I^C= −500/500 mA, I^B= −50/50 mA*

V^CE= −5.0/5.0 V, I^C= −100/100 mA

V^CB= −10/10 V, I^E= 0, f = 1.0 MHz

MIN.

TYP.

MAX.

Unit

µA

−1.0/1.0

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

DC current gain

I^EBO

h^FE1

DC current gain

h^FE2

320

−0.4/0.3 −2.0/2.0

−0.9/0.9 −1.5/1.5

70/45

Collector saturation voltage

Base saturation voltage

Gain bandwidth product

Collector capacitance

V^CE(sat)

V^BE(sat)

f^T

MHz

C^ob

25/15

Pulse test PW ≤ 350 µs, duty cycle ≤ 2%

h^FE2CLASSIFICATION

Marking

h^FE2

40 to 80

60 to 120

100 to 200

160 to 320

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D16141EJ2V0DS00

Date Published April 2002 N CP(K)

Printed in Japan

2002

1998

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD414Q-AZ	RENESAS	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD414R	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD414R-AZ	RENESAS	获取价格	2SD414R-AZ
2SD414S	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD414S-AZ	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD415	NEC	获取价格	PNP/NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS
2SD415-AZ	RENESAS	获取价格	Bipolar Power Transistors, , /
2SD415P-AZ	RENESAS	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD415Q	RENESAS	获取价格	800mA, 100V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD415Q-AZ	RENESAS	获取价格	800mA, 100V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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