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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Lifetime Buy | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.45 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 350 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.3 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 18 MHz | VCEsat-Max： | 1 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1251 | PANASONIC |
功能相似  |
Silicon NPN triple diffusion junction type(For power amplification) |
|
| BUX86P | NXP |
功能相似 |
Silicon Diffused Power Transistor |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD2462_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
Power Amplifier Applications |
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| 2SD2463 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD2463K | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 31V V(BR)CEO | 2A I(C) | SIP |
|
| 2SD2463-K | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD2463-K | RENESAS |
获取价格 |
2000mA, 35V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
|
| 2SD2463L | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 31V V(BR)CEO | 2A I(C) | SIP |
|
| 2SD2463-L | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
|
| 2SD2463-L | RENESAS |
获取价格 |
2000mA, 35V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SD2463M | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 31V V(BR)CEO | 2A I(C) | SIP |
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| 2SD2463-M | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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