2SD2465

更新时间： 2024-09-28 22:52:47

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3页	56K
描述
Silicon NPN epitaxial planar type(For low-voltage switching)

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2SD2465 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220E
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.84
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	90	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	120 MHz
Base Number Matches：	1

2SD2465 数据手册

Power Transistors

2SD2465, 2SD2465A

Silicon NPN epitaxial planar type

For low-voltage switching

Complementary to 2SB1603

Unit: mm

Features

■

4.6±0.2

●

Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

High-speed switching

9.9±0.3

2.9±0.2

φ3.2±0.1

●

Full-pack package superior in insulation, which can be installed

to the heat sink with one screw

Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)

■

2.6±0.1

0.7±0.1

1.2±0.15

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

1.45±0.15

Collector to

2SD2465

2SD2465A

2SD2465

V_CBO

0.75±0.1

base voltage

Collector to

2.54±0.2

5.08±0.4

V_CEO

emitter voltage 2SD2465A

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

V_EBO

I_CP

2 3

7°

1:Base

2:Collector

3:Emitter

TO–220E Full Pack Package

I_C

Collector power T_C=25°C

P_C

dissipation

Ta=25°C

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

˚C

T_stg

–55 to +150

Electrical Characteristics (T =25˚C)

■

Parameter

Collector cutoff

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

Unit

µA

2SD2465

V_CB= 40V, I_E= 0

current

2SD2465A

V_CB= 50V, I_E= 0

V_EB= 5V, I_C= 0

Emitter cutoff current

I_EBO

V_CEO

h_FE1

Collector to emitter 2SD2465

voltage 2SD2465A

I_C= 10mA, I_B= 0

V_CE= 2V, I_C= 0.1A

V_CE= 2V, I_C= 1A

I_C= 2A, I_B= 0.1A

Forward current transfer ratio

h_FE2

260

0.5

1.5

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

_C= 2A, I_B= 0.1A

Transition frequency

Turn-on time

Storage time

Fall time

f_T

t_on

t_stg

t_f

V_CE= 5V, I_C= 0.5A, f = 10MHz

120

0.2

0.5

0.1

MHz

µs

I_C= 2A, I_B1= 0.2A, I_B2= – 0.2A,

V_CC= 20V

µs

^*h_FE2Rank classification

Rank

h_FE2

90 to 180

130 to 260

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD2465A	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planar type
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2SD2465AQ	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SD2465P	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
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