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2SD2465P

更新时间： 2024-09-30 06:54:15
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 171K
描述
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220E, FULL PACK-3

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2SD2465P 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220E
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.84
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：4 A
集电极-发射极最大电压：20 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：130JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：120 MHzBase Number Matches：1

2SD2465P 数据手册

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Power Transistors  
2SD2465, 2SD2465A  
Silicon NPN epitaxial planar type  
For low-voltage switching  
Complementary to 2SB1603  
Unit: mm  
Features  
■
4.6±0.2  
●
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
High-speed switching  
±0.3  
2.9±0.2  
φ3.
●
●
Full-pack package superior in insulation, which can be installed  
to the heat sink with one screw  
Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)  
■
C
2.6±0.1  
0.7±0.1  
.2±0
Parameter  
Symbol  
Ratings  
Unit  
45±0.15  
Collector to  
2SD2465  
2SD2465A  
2SD2465  
40  
VCBO  
V
0.7±0.1  
base voltage  
Collector to  
50  
20  
2.54±0.2  
5.08±0.4  
VCEO  
emitter voltage 2SD2465A  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
40  
VEBO  
ICP  
5
V
A
A
1
2 3  
7°  
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
TO–220E Full Pack Package  
IC  
4
Collector power TC=25°C  
25  
C  
W
dissipation  
Ta=25°C  
2
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
Ts
–55 to
Elerical Christics (T =25˚C)  
■
C
Paamet
llector ctoff  
Symol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
50  
Unit  
µA  
µA  
V
2SD2465  
VCB = 40V, IE = 0  
cuent  
2SD246A  
VCB = 50V, IE = 0  
VEB = 5V, I= 0  
50  
Emittecutoff c
IEBO  
VCEO  
hFE1  
50  
Collector to em
voltage 5A  
20  
40  
45  
90  
IC = 10mA, IB = 0  
VCE = 2V, IC = 0.1A  
VCE = 2V, IC = 1A  
IC = 2A, IB = 0.1A  
Forward current transfer ratio  
*
hFE2  
260  
0.5  
1.5  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
V
V
I
C = 2A, IB = 0.1A  
Transition frequency  
Turn-on time  
Storage time  
Fall time  
fT  
ton  
tstg  
tf  
VCE = 5V, IC = 0.5A, f = 10MHz  
120  
0.2  
0.5  
0.1  
MHz  
µs  
IC = 2A, IB1 = 0.2A, IB2 = – 0.2A,  
VCC = 20V  
µs  
µs  
*hFE2 Rank classification  
Rank  
hFE2  
Q
P
90 to 180  
130 to 260  
1
1234

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与2SD2465P相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD2465Q PANASONIC

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 		Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SD2466 PANASONIC

获取价格

 		Silicon NPN epitaxial planar type(For low-voltage switching)
2SD2466A PANASONIC

获取价格

 		Silicon NPN epitaxial planar type(For low-voltage switching)
2SD2466AP PANASONIC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SD2466AQ PANASONIC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SD2466P PANASONIC

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 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SD2466Q PANASONIC

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 		暂无描述
2SD2467 PANASONIC

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 		Silicon NPN epitaxial planar type(For power switching)
2SD2467P PANASONIC

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 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SD2467Q PANASONIC

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