5秒后页面跳转
2SD2396H PDF预览

2SD2396H

更新时间: 2024-11-21 20:31:07
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 410K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220FN, 3 PIN

2SD2396H 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-220AB包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.74Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):3 A
集电极-发射极最大电压:60 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):400JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):30 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):40 MHz
Base Number Matches:1

2SD2396H 数据手册

 浏览型号2SD2396H的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SD2396H的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SD2396H的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SD2396H的Datasheet PDF文件第5页 

与2SD2396H相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD2396J ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220VAR
2SD2396K ROHM

获取价格

Transistor, NPN
2SD2397 ROHM

获取价格

Medium Power Transistor(Motor, Relay drive) (
2SD2397C7K ROHM

获取价格

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
2SD2397K ROHM

获取价格

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
2SD2398 ROHM

获取价格

Power Transistor (100V , 2A)
2SD2398C7 ROHM

获取价格

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
2SD2398C7K ROHM

获取价格

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
2SD2398K ROHM

获取价格

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
2SD2399 ISC

获取价格

isc Silicon NPN Power Transistor