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2SD2155

更新时间: 2024-01-11 07:30:20
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东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管功率双极晶体管功率放大器
页数 文件大小 规格书
2页 155K
描述
NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)

2SD2155 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:2-21F1A, 3 PINReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.41外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):15 A集电极-发射极最大电压:180 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):55
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:150 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):10 MHz
VCEsat-Max:2 VBase Number Matches:1

2SD2155 数据手册

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2SD2155 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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2SC3856 SANKEN

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD2155O ETC

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2SD2155-O TOSHIBA

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2SD2155R TOSHIBA

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TRANSISTOR 15 A, 180 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-21F1A, 3 PIN, BIP General Purpose Pow
2SD2155-R TOSHIBA

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TRANSISTOR 15 A, 180 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
2SD2156 NAIS

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SILICON NPN TRIPLE-DIFFUSED PLANAR TYPE
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SILICON NPN TRIPLE-DIFFUSED PLANAR TYPE
2SD2156AO NAIS

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SILICON NPN TRIPLE-DIFFUSED PLANAR TYPE
2SD2156AP NAIS

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SILICON NPN TRIPLE-DIFFUSED PLANAR TYPE
2SD2156AP PANASONIC

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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SD2156AQ NAIS

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SILICON NPN TRIPLE-DIFFUSED PLANAR TYPE