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2SD2088

更新时间： 2024-11-09 04:26:15

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东芝 - TOSHIBA		晶体小信号双极晶体管开关
页数	文件大小	规格书
5页	120K
描述
Silicon NPN Epitaxial Type (Darlington power transistor)

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2SD2088 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.85	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	2000
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	VCEsat-Max：	1.5 V
Base Number Matches：	1

2SD2088 数据手册

2SD2088

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (Darlington power transistor)

2SD2088

Micro Motor Drive, Hammer Drive Applications

Switching Applications

Unit: mm

Power Amplifier Applications

High DC current gain: h

CE (sat)

Zener diode included between collector and base.

= 2000 (min) (V = 2 V, I = 1 A)

CE C

Low saturation voltage: V

= 1.5 V (max) (I = 1 A, I = 1 mA)

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

60 ± 10

CBO

CEO

EBO

Base current

0.5

JEDEC

JEITA

TO-92MOD

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

0.9

°C

―

150

TOSHIBA

2-5J1A

−55 to 150

stg

Weight: 0.36 g (typ.)

Equivalent Circuit

COLLECTOR

EMITTER

BASE

≈ 4 kΩ

≈ 800 Ω

2003-02-04

12 3 4 5

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