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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz | VCEsat-Max： | 0.4 V |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1921TL4/R | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD1921TL4P | ROHM |
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500mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SD1922 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SD1922 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SD1922RF | HITACHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD1922RR | HITACHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD1928 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor |
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| 2SD1929 | ROHM |
获取价格 |
1.2W PACKAGE POWER TAPED TRANSISTOR DESIGNED FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MECHINE |
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| 2SD1929A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-92 |
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| 2SD1929B | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-92 |
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