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2SD1883

更新时间: 2024-01-01 01:22:25
品牌 Logo 应用领域
无锡固电 - ISC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 168K
描述
Silicon NPN Power Transistors

2SD1883 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-3PML
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.77
其他特性:HIGH RELIABILITY外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):4 A集电极-发射极最大电压:800 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):3.5
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:140 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):50 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SD1883 数据手册

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Inchange Semiconductor  
Product Specification  
Silicon NPN Power Transistors  
2SD1883  
DESCRIPTION  
·With TO-3PML package  
·High breakdown voltage  
·High reliability.  
·High speed  
APPLICATIONS  
·Color TV horizontal deflection output.  
·Color display horizontal deflection output.  
PINNING  
PIN  
1
DESCRIPTION  
Base  
2
Collector  
Emitter  
Fig.1 simplified outline (TO-3PML) and symbol  
3
Maximum absolute ratings(Ta=25)  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
PARAMETER  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
CONDITIONS  
Open emitter  
VALUE  
1500  
800  
6
UNIT  
V
Open base  
V
Open collector  
V
4
A
ICM  
Collector current-peak  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
12  
A
PC  
TC=25  
50  
W
Tj  
150  
-55~150  
Tstg  

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