2SD1775

更新时间： 2024-01-08 17:14:58

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松下 - PANASONIC		晶体开关晶体管功率双极晶体管
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3页	59K
描述
Silicon NPN triple diffusion planar type(For high-speed switching and high current amplification ratio)

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2SD1775 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	500
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	VCEsat-Max：	1 V
Base Number Matches：	1

2SD1775 数据手册

Power Transistors

2SD1775, 2SD1775A

Silicon NPN triple diffusion planar type

For high-speed switching and high current amplification ratio

Unit: mm

3.4±0.3

8.5±0.2

6.0±0.5

1.0±0.1

Features

High foward current transfer ratio h_FE

■

●

Satisfactory linearity of foward current transfer ratio h_FE

1.5max.

1.1max.

0.5max.

●

N type package enabling direct soldering of the radiating fin to

the printed circuit board, etc. of small electronic equipment.

0.8±0.1

Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)

■

2.54±0.3

5.08±0.5

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

1:Base

2:Collector

3:Emitter

Collector to

2SD1775

2SD1775A

2SD1775

V_CBO

base voltage

Collector to

100

N Type Package

Unit: mm

V_CEO

8.5±0.2

6.0±0.3

3.4±0.3

emitter voltage 2SD1775A

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

1.0±0.1

V_EBO

I_CP

I_C

0.5

Base current

I_B

R0.5

Collector power T_C=25°C

0.8±0.1

0 to 0.4

P_C

2.54±0.3

1.1 max.

dissipation

Ta=25°C

1.3

5.08±0.5

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

˚C

1:Base

2:Collector

3:Emitter

T_stg

–55 to +150

N Type Package (DS)

Electrical Characteristics (T =25˚C)

■

Parameter

Collector cutoff

current

Symbol

Conditions

min

typ

max

100

Unit

2SD1775

V_CB= 80V, I_E= 0

I_CBO

µA

2SD1775A

V_CB= 100V, I_E= 0

V_CE= 40V, I_B= 0

V_EB= 6V, I_C= 0

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

I_CEO

I_EBO

µA

Collector to emitter 2SD1775

V_CEO

I_C= 25mA, I_B= 0

voltage

2SD1775A

Forward current transfer ratio

h_FE

V_CE= 4V, I_C= 300mA

500

1500

1.0

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

I_C= 1A, I_B= 25mA

1.2

Transition frequency

Collector output capacitance

Turn-on time

f_T

V_CE= 12V, I_C= 200mA, f = 10MHz

V_CB= 10V, I_E= 0, f = 1MHz

MHz

µs

C_ob

t_on

t_stg

t_f

0.6

2.5

1.0

I_C= 1A, I_B1= 25mA, I_B2= –25mA,

V_CC= 50V

Storage time

µs

Fall time

µs

^*h_FERank classification

Rank

h_FE

500 to 1000 800 to 1500

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD1775A	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN triple diffusion planar type(For high-speed switching and high current amplifi
2SD1775AH	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2
2SD1775AO	PANASONIC	获取价格	Transistor
2SD1775AP	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| TO-221VAR
2SD1775AQ	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| TO-221VAR
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