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2SD1776AQ

更新时间: 2024-01-12 18:20:34
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2页 166K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 2A I(C) | SOT-186

2SD1776AQ 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SFM
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.84
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):2 A集电极-发射极最大电压:60 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):800
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):2 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):40 MHzBase Number Matches:1

2SD1776AQ 数据手册

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