2SD1778

更新时间： 2024-02-17 11:18:38

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管开关局域网
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描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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2SD1778 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SFM
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	4 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	160
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SD1778 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SD1778

DESCRIPTION

·High Collector Current:: I_C= 4A

·Low Collector Saturation Voltage

: V_CE(sat)= 1.0V(Max)@I_C= 3A

·Wide Area of Safe Operation

·Complement to Type 2SB1334

APPLICATIONS

·Designed for low frequency power amplifier applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

I_CM

Total Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

-55~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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