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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.77 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 1.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 120 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 82 | JEDEC-95代码： | TO-126 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 10 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 80 MHz |
| VCEsat-Max： | 2 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1563/PQ | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plast |
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| 2SD1563/PR | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plast |
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| 2SD1563/QR | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plast |
|
| 2SD1563/R | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plast |
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| 2SD1563A | ROHM |
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Epitaxial Planar NPN Silicon Transistor |
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| 2SD1563A | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SD1563A | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SD1563A/N | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plast |
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| 2SD1563A/NP | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plast |
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| 2SD1563A/P | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plast |
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