2SD1563AN

更新时间： 2024-11-23 13:04:23

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	228K
描述
Transistor

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2SD1563AN 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

2SD1563AN 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SD1563

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 120V (Min)

·Wide Area of Safe Operation

·Complement to Type 2SB1086

APPLICATIONS

·Designed for low frequency power amplifier applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

120

5.0

UNIT

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

1.5

I_CM

Total Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

Total Power Dissipation

@ T_a=25℃

1.2

T_J

Junction Temperature

150

-55~150

Storage Temperature Range

℃

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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