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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SIP | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.77 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 180 |
| JEDEC-95代码： | TO-126 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 5 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | VCEsat-Max： | 0.4 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1381FP | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-126 |
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| 2SD1381FQ | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-126 |
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| 2SD1381FR | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-126 |
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| 2SD1382 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-126 |
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| 2SD1382/P | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| 2SD1382/PQ | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| 2SD1382/PR | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| 2SD1382/Q | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| 2SD1382/QR | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| 2SD1382/R | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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