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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 2 A | 集电极-发射极最大电压： | 150 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | VCEsat-Max： | 1 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SD1251 | PANASONIC | Silicon NPN triple diffusion junction type(For power amplification) |
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| 2SD1251 | KEXIN | Silicon NPN Triple Diffusion Junction Type |
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| 2SD1251 | TYSEMI | Wide area of safe operation. Emitter-base voltage VEBO 8 V |
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| 2SD1251/2SD1251A | ETC | 2SD1251. 2SD1251A - NPN Transistor |
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| 2SD1251A | PANASONIC | Silicon NPN triple diffusion junction type(For power amplification) |
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| 2SD1251A | TYSEMI | Wide area of safe operation. Emitter-base voltage VEBO 8 V |
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