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2SD1251Q

更新时间： 2024-02-03 05:18:23

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其他 - ETC		晶体晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
3页	52K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 4A I(C) \| TO-221VAR

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2SD1251Q 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.83
最大集电极电流 (IC)：	4 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	VCEsat-Max：	1 V
Base Number Matches：	1

2SD1251Q 数据手册

Power Transistors

2SD1251, 2SD1251A

Silicon NPN triple diffusion junction type

For power amplification

Unit: mm

3.4±0.3

8.5±0.2

6.0±0.5

1.0±0.1

Features

Wide area of safe operation (ASO)

■

●

1.5max.

1.1max.

0.5max.

●

N type package enabling direct soldering of the radiating fin to

the printed circuit board, etc. of small electronic equipment.

0.8±0.1

Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)

■

2.54±0.3

5.08±0.5

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

1:Base

2:Collector

3:Emitter

N Type Package

Collector to

2SD1251

2SD1251A

2SD1251

V_CBO

base voltage

Collector to

Unit: mm

3.4±0.3

8.5±0.2

6.0±0.3

V_CEO

1.0±0.1

emitter voltage 2SD1251A

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

V_EBO

I_CP

I_C

Base current

I_B

R0.5

0.8±0.1

Collector power T_C=25°C

0 to 0.4

2.54±0.3

P_C

1.1 max.

5.08±0.5

dissipation

Ta=25°C

1.3

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

˚C

1:Base

2:Collector

3:Emitter

T_stg

–55 to +150

N Type Package (DS)

Electrical Characteristics (T =25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

Unit

µA

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

V_CB= 20V, I_E= 0

I_EBO

V_EB= 8V, I_C= 0

2SD1251

2SD1251A

Collector to emitter

voltage

V_CEO(sus)

h_FE1

I_C= 0.2A, L = 25mH

V_CE= 3V, I_C= 0.1A

V_CE= 3V, I_C= 1A

Forward current transfer ratio

Base to emitter voltage

h_FE2

160

1.2

V_BE

V_CE= 3V, I_C= 1A

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Transition frequency f_T

I_C= 2A, I_B= 0.4A

V_CE= 10V, I_C= 0.2A, f = 0.5MHz

MHz

Rank classification

CEO(sus)

Test circuit

FE2

50/60Hz mercury relay

Rank

h_FE2

I_C(A)

0.2

30 to 60

50 to 100

80 to 160

L 25mH

0.1

120Ω

15V

1Ω

60/80

V_CE(V)

Note: Ordering can be made by the common rank (OP rank h_FE2= 50 to 160) in the rank classification.

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与2SD1251Q相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SD1251TX	PANASONIC	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2	获取价格
2SD1252	PANASONIC	Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification)	获取价格
2SD1252	KEXIN	Silicon NPN Triple Diffusion Junction Type	获取价格
2SD1252	TYSEMI	nullPower transistors. Emitter-base voltage VEBO 6 V	获取价格
2SD1252/2SD1252A	ETC	2SD1252. 2SD1252A - NPN Transistor	获取价格
2SD1252_15	KEXIN	NPN Transistors	获取价格