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2SD1253

更新时间： 2024-02-27 22:41:31

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科信 - KEXIN		晶体晶体管放大器
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2页	43K
描述
Silicon NPN Triple Diffusion Planar Type

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2SD1253 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON
VCEsat-Max：	1.5 V	Base Number Matches：	1

2SD1253 数据手册

SMD Type

Transistors

Silicon NPN Triple Diffusion Planar Type

2SD1253,2SD1253A

TO-252

Unit: mm

6.50^+0.15

-0.15

2.30^+0.1

-0.1

5.30^+0.2

0.50^+0.8

-0.7

-0.2

Features

High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory linearity.

Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat).

0.127

max

0.80^+0.1

-0.1

0.60^+0.1

2.3

4.60^+0.15

-0.1

1 Base

-0.15

2 Collector

3 Emitter

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

2SD1253

2SD1253A

2SD1253

2SD1253A

VCBO

Collector-emitter voltage

VCEO

Emitter-base voltage

Collector current

V^EBO

I^C

Peak collector current

Collector power dissipation

I^CP

1.3

Ta = 25

Tc = 25

Junction temperature

Storage temperature

T^j

150

Tstg

-55 to +150

www.kexin.com.cn

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