2SD1253ATX

更新时间： 2024-02-07 21:46:51

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松下 - PANASONIC		晶体晶体管功率双极晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
2页	51K
描述
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin

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2SD1253ATX 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON
VCEsat-Max：	1.5 V	Base Number Matches：	1

2SD1253ATX 数据手册

Power Transistors

2SD1253, 2SD1253A

Silicon NPN triple diffusion planar type

For power amplification

Unit: mm

3.4±0.3

8.5±0.2

6.0±0.5

1.0±0.1

Complementary to 2SB930 and 2SB930A

Features

■

●

High forward current transfer ratio h_FEwhich has satisfactory linearity

1.5max.

1.1max.

0.5max.

●

Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

●

N type package enabling direct soldering of the radiating fin to

0.8±0.1

the printed circuit board, etc. of small electronic equipment.

2.54±0.3

5.08±0.5

Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)

■

1:Base

2:Collector

3:Emitter

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

N Type Package

Collector to

2SD1253

2SD1253A

2SD1253

V_CBO

Unit: mm

base voltage

Collector to

8.5±0.2

6.0±0.3

3.4±0.3

1.0±0.1

V_CEO

emitter voltage 2SD1253A

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

V_EBO

I_CP

I_C

R0.5

0.8±0.1

0 to 0.4

2.54±0.3

Collector power T_C=25°C

1.1 max.

P_C

5.08±0.5

dissipation

Ta=25°C

1.3

1:Base

2:Collector

3:Emitter

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

˚C

T_stg

–55 to +150

N Type Package (DS)

Electrical Characteristics (T =25˚C)

■

Parameter

Collector cutoff

Symbol

I_CES

Conditions

min

typ

max

400

700

Unit

2SD1253

2SD1253A

2SD1253

2SD1253A

V_CE= 60V, V_BE= 0

µA

current

V_CE= 80V, V_BE= 0

V_CE= 30V, I_B= 0

V_CE= 60V, I_B= 0

V_EB= 5V, I_C= 0

Collector cutoff

current

I_CEO

I_EBO

V_CEO

µA

Emitter cutoff current

Collector to emitter 2SD1253

voltage 2SD1253A

I_C= 30mA, I_B= 0

h_FE1

V_CE= 4V, I_C= 1A

250

Forward current transfer ratio

Base to emitter voltage

h_FE2

V_BE

V_CE= 4V, I_C= 3A

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

I_C= 4A, I_B= 0.4A

1.5

Transition frequency

Turn-on time

Storage time

Fall time

f_T

t_on

t_stg

t_f

V_CE= 5V, I_C= 0.5A, f = 1MHz

0.4

1.2

0.5

MHz

µs

I_C= 4A, I_B1= 0.4A, I_B2= – 0.4A,

V_CC= 50V

µs

^*h_FE1Rank classification

Rank

h_FE1

40 to 90

70 to 150

120 to 250

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与2SD1253ATX相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SD1253H	PANASONIC	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2	获取价格
2SD1253P	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 4A I(C) \| TO-221VAR	获取价格
2SD1253Q	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 4A I(C) \| TO-221VAR	获取价格
2SD1253R	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 4A I(C) \| TO-221VAR	获取价格
2SD1253TX	PANASONIC	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2	获取价格
2SD1254	PANASONIC	Silicon NPN epitaxial planar type(For power switching)	获取价格

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