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2SD1252P

更新时间： 2024-01-12 16:44:27
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
3页 53K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-221VAR

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2SD1252P 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.84
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管元件材料：SILICONVCEsat-Max：1.2 V

2SD1252P 数据手册

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Power Transistors  
2SD1252, 2SD1252A  
Silicon NPN triple diffusion planar type  
For power amplification  
Unit: mm  
3.4±0.3  
8.5±0.2  
6.0±0.5  
1.0±0.1  
Complementary to 2SB0929 (2SB929) and 2SB0929A (2SB929A)  
Features  
■
●
High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory linearity  
1.5max.  
1.1max.  
0.5max.  
●
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
●
N type package enabling direct soldering of the radiating fin to  
0.8±0.1  
the printed circuit board, etc. of small electronic equipment.  
2.54±0.3  
5.08±0.5  
Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)  
■
C
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
1
2
3
Parameter  
Symbol  
Ratings  
Unit  
N Type Package  
Collector to  
2SD1252  
2SD1252A  
2SD1252  
60  
VCBO  
V
Unit: mm  
base voltage  
Collector to  
80  
8.5±0.2  
6.0±0.3  
3.4±0.3  
1.0±0.1  
60  
VCEO  
V
emitter voltage 2SD1252A  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
80  
VEBO  
ICP  
6
V
A
A
5
IC  
3
35  
R0.5  
R0.5  
0.8±0.1  
0 to 0.4  
2.54±0.3  
Collector power TC=25°C  
1.1 max.  
PC  
W
5.08±0.5  
dissipation  
Ta=25°C  
1.3  
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
1
2
3
Tstg  
–55 to +150  
N Type Package (DS)  
Electrical Characteristics (T =25˚C)  
■
C
Parameter  
Collector cutoff  
Symbol  
ICES  
Conditions  
min  
typ  
max  
200  
200  
300  
300  
1
Unit  
2SD1252  
2SD1252A  
2SD1252  
2SD1252A  
VCE = 60V, VBE = 0  
µA  
current  
VCE = 80V, VBE = 0  
VCE = 30V, IB = 0  
VCE = 60V, IB = 0  
VEB = 6V, IC = 0  
Collector cutoff  
current  
ICEO  
IEBO  
VCEO  
µA  
mA  
V
Emitter cutoff current  
Collector to emitter 2SD1252  
voltage 2SD1252A  
60  
80  
40  
10  
IC = 30mA, IB = 0  
*
hFE1  
VCE = 4V, IC = 1A  
250  
Forward current transfer ratio  
Base to emitter voltage  
hFE2  
VBE  
VCE = 4V, IC = 3A  
VCE = 4V, IC = 3A  
1.8  
1.2  
V
V
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
IC = 3A, IB = 0.375A  
VCE = 5V, IC = 0.5A, f = 10MHz  
Transition frequency  
Turn-on time  
Storage time  
Fall time  
fT  
ton  
tstg  
tf  
30  
0.5  
2.5  
0.4  
MHz  
µs  
IC = 1A, IB1 = 0.1A, IB2 = – 0.1A,  
VCC = 50V  
µs  
µs  
*hFE1 Rank classification  
Rank  
hFE1  
R
Q
P
40 to 90  
70 to 150  
120 to 250  
Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.  
1
123

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