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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SD1252A
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2SD1252A

更新时间： 2024-02-07 08:06:59
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体晶体管功率双极晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
2页 52K
描述
Silicon PNP epitaxial planar type(For power amplification)

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2SD1252A 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.84
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管元件材料：SILICONVCEsat-Max：1.2 V

2SD1252A 数据手册

 浏览型号2SD1252A的Datasheet PDF文件第2页 
Power Transistors  
2SB929, 2SB929A  
Silicon PNP epitaxial planar type  
Unit: mm  
3.4±0.3  
8.5±0.2  
6.0±0.5  
1.0±0.1  
For power amplification  
Complementary to 2SD1252 and 2SD1252A  
Features  
■
1.5max.  
1.1max.  
0.5max.  
●
High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory linearity  
●
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
0.8±0.1  
●
N type package enabling direct soldering of the radiating fin to  
the printed circuit board, etc. of small electronic equipment.  
2.54±0.3  
5.08±0.5  
Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)  
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
■
C
1
2
3
Parameter  
Symbol  
Ratings  
Unit  
N Type Package  
Collector to  
2SB929  
2SB929A  
2SB929  
–60  
VCBO  
V
Unit: mm  
3.4±0.3  
base voltage  
Collector to  
–80  
8.5±0.2  
6.0±0.3  
1.0±0.1  
–60  
VCEO  
V
emitter voltage 2SB929A  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
–80  
VEBO  
ICP  
–5  
V
A
A
–5  
IC  
–3  
35  
R0.5  
R0.5  
0.8±0.1  
Collector power TC=25°C  
0 to 0.4  
2.54±0.3  
PC  
W
1.1 max.  
5.08±0.5  
dissipation  
Ta=25°C  
1.3  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
1
2
3
Tstg  
–55 to +150  
N Type Package (DS)  
Electrical Characteristics (T =25˚C)  
■
C
Parameter  
Collector cutoff  
Symbol  
ICES  
Conditions  
min  
typ  
max  
–200  
–200  
–300  
–300  
–1  
Unit  
2SB929  
VCE = –60V, VBE = 0  
µA  
current  
2SB929A  
2SB929  
VCE = –80V, VBE = 0  
VCE = –30V, IB = 0  
VCE = –60V, IB = 0  
VEB = –5V, IC = 0  
Collector cutoff  
current  
ICEO  
IEBO  
VCEO  
µA  
mA  
V
2SB929A  
Emitter cutoff current  
Collector to emitter 2SB929  
voltage 2SB929A  
–60  
–80  
70  
IC = –30mA, IB = 0  
*
hFE1  
VCE = –4V, IC = –1A  
250  
Forward current transfer ratio  
Base to emitter voltage  
hFE2  
VBE  
VCE = –4V, IC = –3A  
10  
VCE = –4V, IC = –3A  
–1.8  
–1.2  
V
V
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
IC = –3A, IB = – 0.375A  
VCE = –10V, IC = – 0.5A, f = 10MHz  
Transition frequency  
Turn-on time  
Storage time  
Fall time  
fT  
ton  
tstg  
tf  
30  
0.5  
1.2  
0.3  
MHz  
µs  
IC = –1A, IB1 = – 0.1A, IB2 = 0.1A  
µs  
µs  
*hFE1 Rank classification  
Rank  
hFE1  
Q
P
Note: Ordering can be made by the common rank (PQ rank hFE1 = 70 to 250) in the  
rank classification.  
70 to 150  
120 to 250  
1
12

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