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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | TO-220, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.08 | 最大集电极电流 (IC)： | 5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 70 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 30 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1060L-Q-TN3-T | UTC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/ |
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| 2SD1060L-R-TN3-T | UTC |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/ |
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| 2SD1060L-S-TN3-R | UTC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/ |
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| 2SD1060L-S-TN3-T | UTC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/ |
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| 2SD1060L-X-AB3-R | UTC |
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NPN PLANAR SILICON TRANSISTOR |
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| 2SD1060L-X-T60-K | UTC |
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NPN PLANAR SILICON TRANSISTOR |
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| 2SD1060L-X-T92-B | UTC |
获取价格 |
NPN PLANAR SILICON TRANSISTOR |
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| 2SD1060L-X-T92-K | UTC |
获取价格 |
NPN PLANAR SILICON TRANSISTOR |
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| 2SD1060L-X-TA3-T | UTC |
获取价格 |
NPN PLANAR SILICON TRANSISTOR |
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| 2SD1060L-X-TM3-T | UTC |
获取价格 |
NPN PLANAR SILICON TRANSISTOR |
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