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2SCR523UB

更新时间： 2024-02-02 16:27:57

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罗姆 - ROHM		晶体晶体管
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3页	168K
描述
General purpose transistor(50V,0.1A)

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2SCR523UB 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SC-85
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	Factory Lead Time：	13 weeks
风险等级：	1.71	Samacsys Description：	NPN General Purpose Amplification Transistor: Various products are available in lineup developed focusing on energy-saving and high reliability as main concepts, covering from ultra-compact packages to power-packages to meet the needs in market.
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	JESD-609代码：	e1
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	350 MHz
Base Number Matches：	1

2SCR523UB 数据手册

General purpose transistor(50V,0.1A)

2SCR523M / 2SCR523EB / 2SCR523UB

Structure

NPN silicon epitaxial planar transistor

Dimensions (Unit : mm)

VMT3

Features

1) Complements the 2SAR523M / 2SAR523EB / 2SAR523UB.

Abbreviated symbol : NB

Applications

Switch, LED driver

EMT3F

(3)

Packaging specifications

Package

VMT3

Taping

T2L

EMT3F

Taping

UMT3F

Taping

(1)

(2)

Packaging Type

Code

Abbreviated symbol : NB

Type

UMT3F

2.0

Basic ordering

unit (pieces)

0.9

0.32

8000

3000

(3)

2SCR523M

2SCR523EB

2SCR523UB

(1)

(2)

0.13

0.65 0.65

1.3

Abbreviated symbol : NB

 Absolute maximum ratings (Ta=25C)

Inner circuit

Limits

Symbol

V^CBO

V^CEO

VEBO

I^C

Unit

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

(3)

(1)

(1) Base

(2) Emitter

(3) Collector

100

200

150

200

150

°C

Collector current

∗1

ICP

(2)

2SCR523M,2SCR523EB

∗2

P^D

Power dissipation

2SCR523UB

T^j

Junction temperature

−55 to +150

°C

T^stg

Range of storage temperature

∗1 Pw=1mS Single pulse

∗2 Each terminal mounted on a recommended land

Electrical characteristics (Ta=25C)

Parameter

Collector-emitter breakdown voltage

Collector-base breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Symbol

BV^CEO

BVCBO

BVEBO

Min.

Typ. Max.

Unit

Conditions

−

=1mA

=50μA

−

=50μA

CB=50V

EB=5V

CBO

EBO

CE(sat)

−

120

−

0.1

0.30

560

−

μA

Emitter cut-off current

Collector-emitter saturation voltage

DC current gain

=50mA, I

=5mA

0.10

−

350

1.6

−

MHz

CE=6V, I =1mA

Transition frequency

CE=10V, I

CB=10V, I

=−10mA, f=100MHz

=0A, f=1MHz

Output capacitance

Cob

−

www.rohm.com

2010.09 - Rev.A

1/2

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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