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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.46 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.08 A |
| 基于收集器的最大容量： | 2.2 pF | 集电极-发射极最大电压： | 6 V |
| 配置： | SINGLE | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 10600 MHz |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SC5761 | NEC | NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE & HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE S |
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| 2SC5761(NESG2030M04) | ETC | Discrete |
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| 2SC5761-A | RENESAS | TRANSISTOR,BJT,NPN,2.3V V(BR)CEO,35MA I(C),TSOP |
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| 2SC5761-FB-A | NEC | 暂无描述 |
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| 2SC5761-T2 | NEC | NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE & HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE S |
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| 2SC5761-T2 | RENESAS | RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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