2SC5343-Y

更新时间： 2024-11-21 07:31:11

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美微科 - MCC		晶体小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	208K
描述
NPN Silicon Transistors

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2SC5343-Y 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.42
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.15 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz	Base Number Matches：	1

2SC5343-Y 数据手册

M C C

2SC5343-O

2SC5343-Y

2SC5343-G

2SC5343-L

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

ꢀꢁ Low Collector Saturation Voltage: V_CE(sat)=0.25V(Max.)

ꢀꢁ Low Output Capacitance: Cob=2.0pF(Typ.)

ꢀꢁ Complementary Pair With 2SA1980

ꢀꢁ Marking : C5343

NPN Silicon

Transistors

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

TO-92

Maximum Ratings

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Rating

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Rating

Unit

5.0

150

^OC

P_C

Collector power dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

625

T_J

150

T_STG

-55 to +150

Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_C=100uAdc, I_B=0)

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I_C=10mAdc, I_B=0)

Emitter-Base Breakdown Voltage

(I_E=10uAdc, I_C=0)

Collector-Base Cutoff Current

(V_CB=60Vdc,I_E=0)

5.0

---

Vdc

---

Vdc

0.1

uAdc

I_EBO

Emitter-Base Cutoff Current

(V_EB=5.0Vdc, I_C=0)

---

ON CHARACTERISTICS

h_FE

V_CE(sat)

f_T

Forward Current Transfer ratio*

---

700

0.25

---

Vdc

MHz

(I_C=2.0Adc, V_CE=6.0Vdc)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=100mAdc, I_B=10mAdc)

Transition Frequency

(V_CE=10Vdc, I_C=1.0mAdc)

Collector Output Capacitance

(V_CB=10Vdc, I_E=0, f=1.0MHz)

Noise Figure

---

DIMENSIONS

C_ob

2.0

3.5

INCHES

MIN

.170

.550

.010

.130

.096

MIN

DIM

MAX

4.83

14.97

0.56

3.96

2.64

NOTE

.190

.590

.020

.160

.104

4.33

4.30

13.97

0.36

3.30

2.44

(V_CE=6.0Vdc, I_C=0.1mAdc,

f=1.0KHz, Rg=10KĀ)

---

* h_FErank / O: 70-140, Y:120-240, G:200-400, L:300-700

www.mccsemi.com

1 of 2

Revision: A

2011/01/01

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