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| 三菱 - MITSUBISHI |  |
晶体管 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 1页 | 196K |  |
| 描述 | ||
| Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-89, 3 PIN | ||
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT-89 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 120 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 150 | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC5213-T13-1E | MITSUBISHI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTI |
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| 2SC5213-T13-1F | MITSUBISHI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTI |
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| 2SC5213-T13-1G | MITSUBISHI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTI |
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| 2SC5214 | KEXIN |
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Small Signal Transistor |
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| 2SC5214 | ISAHAYA |
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SMALL-SIGNAL TRANSISTOR FOR LOW FREQUENCY POWER AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL |
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| 2SC5214 | TYSEMI |
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High fT fT=100MHz typ. Excellent linearity of dc forward current gain. |
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| 2SC5214 | MITSUBISHI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-89, 3 |
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| 2SC5214-13-1C | MITSUBISHI |
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暂无描述 |
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| 2SC5214-13-1D | MITSUBISHI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC, |
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| 2SC5214-13-1E | MITSUBISHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC, |
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