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2SC5200

更新时间: 2024-11-23 12:53:47
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 157K
描述
High power NPN epitaxial planar bipolar transistor

2SC5200 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-264AA包装说明:ROHS COMPLIANT, TO-264, 3 PIN
针数:3Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.27
Samacsys Confidence:3Samacsys Status:Released
Samacsys PartID:308265Samacsys Pin Count:3
Samacsys Part Category:Transistor BJT NPNSamacsys Package Category:Transistor Outline, Vertical
Samacsys Footprint Name:TO-264Samacsys Released Date:2018-11-02 01:21:31
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):15 A
集电极-发射极最大电压:230 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):35JEDEC-95代码:TO-264AA
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):150 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):30 MHzBase Number Matches:1

2SC5200 数据手册

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2SC5200  
High power NPN epitaxial planar bipolar transistor  
Preliminary data  
Features  
High breakdown voltage V  
= 230 V  
CEO  
Typical f = 30 MHz  
T
Application  
Audio power amplifier  
3
2
1
Description  
TO-264  
This device is a NPN transistor manufactured  
using new BiT-LA (bipolar transistor for linear  
amplifier) technology. The resulting transistor  
shows good gain linearity behaviour.  
Fure 1.  
Internal schematic diagram  
Table 1.  
Device summary  
Order code  
2SC5200  
Marking  
Package  
TO-264  
Packaging  
2SC5200  
Tube  
September 2009  
Doc ID 16310 Rev 1  
1/8  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to  
change without notice.  
www.st.com  
8

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