2SC5200RTU

更新时间： 2024-02-16 06:04:44

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
页数	文件大小	规格书
6页	214K
描述
NPN Epitaxial Silicon Transistor

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SC5200RTU 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-264
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	3.85
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	17 A
集电极-发射极最大电压：	250 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	55	JEDEC-95代码：	TO-264AA
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	150 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	30 MHz	Base Number Matches：	1

2SC5200RTU 数据手册

March 2008

2SC5200/FJL4315

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Applications

•

High-Fidelity Audio Output Amplifier

General Purpose Power Amplifier

Features

•

High Current Capability: I_C= 15A.

High Power Dissipation : 150watts.

High Frequency : 30MHz.

TO-264

1.Base 2.Collector 3.Emitter

High Voltage : V_CEO=230V

Wide S.O.A for reliable operation.

Excellent Gain Linearity for low THD.

Complement to 2SA1943/FJL4215.

Thermal and electrical Spice models are available.

Same transistor is also available in:

-- TO3P package, 2SC5242/FJA4313 : 130 watts

-- TO220 package, FJP5200 : 80 watts

-- TO220F package, FJPF5200 : 50 watts

Absolute Maximum Ratings*

T = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Ratings

Units

BV_CBO

BV_CEO

BV_EBO

I_C

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current(DC)

Base Current

230

I_B

1.5

P_D

Total Device Dissipation(T_C=25°C)

Derate above 25°C

150

1.04

W/°C

T_J, T_STG

Junction and Storage Temperature

- 50 ~ +150

°C

* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

Thermal Characteristics* T =25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Max.

Units

R_θJC

Thermal Resistance, Junction to Case

0.83

°C/W

* Device mounted on minimum pad size

Classification

h_FE1

55 ~ 110

80 ~ 160

2SC5200/FJL4315 Rev. A2

www.fairchildsemi.com

12 3 4 5 6

下载PDF

与2SC5200RTU相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SC5200-X-T3L-T	UTC	POWER AMPLIFIER APPLICATIONS DRIVER STAGE AMPLIFIER	获取价格
2SC5201	TOSHIBA	NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE (HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS)	获取价格
2SC5201_06	TOSHIBA	Silicon NPN Triple Diffused Mesa Type High-Voltage Switching Applications	获取价格
2SC5206	ETC		获取价格
2SC5207A	HITACHI	SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR	获取价格
2SC5208	TOSHIBA	Silicon NPN Triple Diffused Type High-Voltage Switching Applications	获取价格