5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220FN |
| 包装说明： | TO-220FN, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.77 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 300 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 10 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC5147C7/DE | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla |
|
| 2SC5147C7/E | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla |
|
| 2SC5147D | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy |
|
| 2SC5147E | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy |
|
| 2SC5148 | TOSHIBA |
获取价格 |
NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE (DISPLAY, COLOR TV HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS) |
|
| 2SC5148 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2SC5148 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN Power Transistor |
|
| 2SC5149 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2SC5149 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN Power Transistor |
|
| 2SC5149 | TOSHIBA |
获取价格 |
NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE (HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR MEDIUM RESOLUTION DISPLAY, |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
