2SC5141YN

更新时间： 2024-02-10 15:57:03

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日立 - HITACHI		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
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8页	63K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, NPN

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2SC5141YN 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.31	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
基于收集器的最大容量：	1.4 pF	集电极-发射极最大电压：	12 V
配置：	SINGLE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	5800 MHz	Base Number Matches：	1

2SC5141YN 数据手册

2SC5141

S11 Parameter vs. Frequency

S21 Parameter vs. Frequency

Scale: 5 / div.

90°

1.5

60°

120°

30°

150°

.4 .6 .8 1.0 1.5 2 3 4 5 10

180°

0°

–10

–5

–4

–.2

–30°

–150°

–3

–.4

–2

–60°

–120°

–.6

–1.5

–.8

–90°

–1

Ω

Condition: V = 1 V , Zo = 50

200 to 2000 MHz (200 MHz step)

(I = 5 mA)

200 to 2000 MHz (200 MHz step)

(I = 5 mA)

(I = 20 mA)

S12 Parameter vs. Frequency

S22 Parameter vs. Frequency

Scale: 0.05 / div.

90°

1.5

60°

120°

30°

150°

.4 .6 .8 1.0 1.5 2 3 4 5 10

180°

0°

–10

–5

–4

–.2

–30°

–150°

–3

–.4

–2

–60°

–120°

–.6

–1.5

–.8

–90°

–1

Ω

Condition: V = 1 V , Zo = 50

200 to 2000 MHz (200 MHz step)

(I = 5 mA)

200 to 2000 MHz (200 MHz step)

(I = 5 mA)

(I = 20 mA)

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