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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.31 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A |
| 基于收集器的最大容量： | 1.4 pF | 集电极-发射极最大电压： | 12 V |
| 配置： | SINGLE | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 5800 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SC5141YN-TR | HITACHI | 暂无描述 |
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| 2SC5141YN-UL | HITACHI | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, NPN |
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| 2SC5141YN-UR | HITACHI | 暂无描述 |
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| 2SC5142 | TOSHIBA | NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE (HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR HIGH RESOLUTION DISPLAY, C |
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| 2SC5143 | TOSHIBA | NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE (HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR HIGH RESOLUTION DISPLAY, C |
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| 2SC5143 | SAVANTIC | Silicon NPN Power Transistors |
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