Datasheet > 2SC5145

2SC5145

更新时间： 2024-11-26 22:52:43

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关
页数	文件大小	规格书
3页	67K
描述
Silicon NPN triple diffusion planar type(For high breakdown voltage high-speed switching)

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SC5145 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.83
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	500 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	8
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	8 MHz
Base Number Matches：	1

2SC5145 数据手册

Power Transistors

2SC5145

Silicon NPN triple diffusion planar type

Unit: mm

3.4±0.3

8.5±0.2

6.0±0.5

For high breakdown voltage high-speed switching

1.0±0.1

Features

High-speed switching

■

●

High collector to base voltage V_CBO

Wide area of safe operation (ASO)

N type package enabling direct soldering of the radiating fin to

1.5max.

1.1max.

0.5max.

●

0.8±0.1

the printed circuit board, etc. of small electronic equipment.

2.54±0.3

5.08±0.5

1:Base

2:Collector

3:Emitter

Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)

■

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CES

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

Unit

N Type Package

Collector to base voltage

800

Unit: mm

8.5±0.2

6.0±0.3

3.4±0.3

800

1.0±0.1

Collector to emitter voltage

500

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

I_C

Base current

I_B

R0.5

0.8±0.1

0 to 0.4

2.54±0.3

Collector power T_C=25°C

1.1 max.

P_C

5.08±0.5

dissipation

Ta=25°C

1.3

1:Base

2:Collector

3:Emitter

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

˚C

T_stg

–55 to +150

N Type Package (DS)

Electrical Characteristics (T =25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

100

Unit

µA

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

V_CB= 800V, I_E= 0

I_EBO

V_EB= 5V, I_C= 0

Collector to emitter voltage

V_CEO(sus)

h_FE1

I_C= 0.2A, L = 25mH

V_CE= 5V, I_C= 0.1A

V_CE= 5V, I_C= 3A

500

Forward current transfer ratio

h_FE2

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

I_C= 3A, I_B= 0.6A

1.5

Transition frequency

Turn-on time

Storage time

Fall time

f_T

t_on

t_stg

t_f

V_CE= 10V, I_C= 0.5A, f = 1MHz

MHz

µs

I_C= 3A, I_B1= 0.6A, I_B2= – 0.6A,

V_CC= 200V

µs

^*V_CEO(sus)Test circuit

50/60Hz

mercury relay

L 25mH

120Ω

1Ω

15V

12 3

中文翻译

下载PDF

与2SC5145相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC5147	ROHM	获取价格	HIGH-VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR (POWER SUPPLY) ( 120V, 7A)
2SC5147	FOSHAN	获取价格	TO-220F
2SC5147/C	ROHM	获取价格	Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla
2SC5147/CD	ROHM	获取价格	Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla
2SC5147/CE	ROHM	获取价格	Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla
2SC5147/D	ROHM	获取价格	0.1A, 300V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FN, TO-220FN, 3 PIN
2SC5147/E	ROHM	获取价格	0.1A, 300V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FN, TO-220FN, 3 PIN
2SC5147C	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 300V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-220VAR
2SC5147C7/C	ROHM	获取价格	Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla
2SC5147C7/CD	ROHM	获取价格	Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla

与2SC5145相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

46
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

35
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

64
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

61

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SC5145

2SC5145 技术参数

2SC5145 数据手册

与2SC5145相关器件

与2SC5145相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SC5145

2SC5145 技术参数

2SC5145 数据手册

与2SC5145相关器件

与2SC5145相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？