2SC4308

更新时间： 2024-11-21 06:16:15

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		/
页数	文件大小	规格书
6页	161K
描述
Silicon NPN Epitaxial Planar

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SC4308 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.33
最大集电极电流 (IC)：	0.3 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.6 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	2500 MHz	Base Number Matches：	1

2SC4308 数据手册

2SC4308

Silicon NPN Epitaxial Planar

REJ03G0723-0200

(Previous ADE-208-1103)

Rev.2.00

Aug.10.2005

Application

VHF Wide band amplifier

Outline

RENESAS Package code: PRSS0003DA-C

(Package name: TO-92 (2))

1. Base

2. Emitter

3. Collector

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Collector to base voltage

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

Unit

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

300

°C

Collector peak current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

i_{C (peak)}

P_C

500

600

150

Tstg

–55 to +150

Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 1 of 5

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与2SC4308相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC4308RF	HITACHI	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silico
2SC4308RF	RENESAS	获取价格	VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-92, 3 PIN
2SC4308RR	RENESAS	获取价格	暂无描述
2SC4308TZ	RENESAS	获取价格	Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SC4308TZ-E	RENESAS	获取价格	Silicon NPN Epitaxial Planar
2SC431	SHINDENGEN	获取价格	POWER TRANSISTOR
2SC4310	SHINDENGEN	获取价格	2SC4310
2SC4312	SHINDENGEN	获取价格	2SC4312
2SC4313	SHINDENGEN	获取价格	2SC4313
2SC4313	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistor