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2SC4324

更新时间: 2024-01-13 00:55:45
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东芝 - TOSHIBA 放大器局域网
页数 文件大小 规格书
5页 345K
描述
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS)

2SC4324 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数:4Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.36其他特性:LOW NOISE
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):0.015 A
基于收集器的最大容量:0.8 pF集电极-发射极最大电压:10 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):50
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-PDSO-G4
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:4最高工作温度:125 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):240
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.15 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):10000 MHz
Base Number Matches:1

2SC4324 数据手册

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