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2SC4215-Y-TP

更新时间： 2024-01-03 15:24:31
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 332K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PACKAGE-3

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2SC4215-Y-TP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.63
最大集电极电流 (IC)：0.02 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.1 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：550 MHzBase Number Matches：1

2SC4215-Y-TP 数据手册

 浏览型号2SC4215-Y-TP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC4215-Y-TP的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
2SC4215-R  
2SC4215-O  
2SC4215-Y  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
·
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
•
Small reverse transfer capacitance: Cre= 0.55pF(typ.)  
Low Voise figure: NF=2dB (typ.) (f=100 MHz)  
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
•
·
NPN Silicon  
Epitaxial Transistors  
·
·
Maximum Ratings  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Rating  
Unit  
V
V
30  
40  
4
SOT-323  
A
VEBO  
V
D
IC  
PC  
TJ, TSTG  
Collector Current  
Collector power dissipation  
Junction and Storage Temperature  
20  
100  
-55 to +150  
mA  
mW  
R
C
C
B
Electrical Characteristics @ 25R Unless Otherwise Specified  
Symbol  
E
Parameter  
Min  
Typ  
Max  
Units  
B
F
E
Collector -base breakdown voltage  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
40  
V
(IC=100µA, IE= 0)  
Collector-emitter breakdown voltage  
(IC=1mA, IB= 0)  
30  
4
V
V
H
G
J
Emitter-base breakdown voltage  
V(BR)EBO  
ICBO  
IEBO  
hFE  
(IE=100µA, Ic= 0)  
K
Collector cut-off current  
(VCB=40V,IE=0)  
0.1  
0.5  
200  
25  
DIMENSIONS  
INCHES  
µA  
µA  
MM  
DIM  
A
B
MIN  
.071  
.045  
.083  
MAX  
.087  
.053  
.096  
MIN  
1.80  
1.15  
2.10  
MAX  
2.20  
1.35  
2.45  
NOTE  
Emitter cut-off current  
(VEB=4V, Ic= 0)  
C
DC Current Gain  
(VCE=6V,IC=1mA)  
D
E
F
G
H
J
.026 Nominal  
0.65Nominal  
1.20  
40  
.047  
.055  
.016  
.004  
.039  
.010  
.016  
1.40  
.40  
.100  
1.00  
.250  
.40  
.012  
.000  
.035  
.004  
.006  
.30  
.000  
.90  
.100  
.15  
Collector-base time constant  
CC rbb  
ps  
pF  
(VCE=6V, I =1mA,f=30MHz)  
c
K
Reverse transfer capacitance  
(VCB=10V, f=1.0MHz)  
Cre  
0.55  
550  
Suggested Solder  
Pad Layout  
0.70  
Transition frequency  
(VCE=6V, Ic=1mA,)  
fT  
260  
MHz  
0.90  
h
FE CLASSIFICATION  
Rank  
Ramge  
Marking  
R
40~80  
QR  
O
Y
mm  
1.90  
70~140  
QO  
100~200  
QY  
0.65  
0.65  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: C  
2013/09/24  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC4215-Y-TP-HF MCC

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 		暂无描述
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