2SC4093-A

更新时间： 2024-11-06 12:58:59

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日电电子 - NEC		晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管微波光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	71K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, MINIMOLD PACKAGE-4

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2SC4093-A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.58	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	基于收集器的最大容量：	0.95 pF
集电极-发射极最大电压：	12 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e6	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	7000 MHz	Base Number Matches：	1

2SC4093-A 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

2SC4093

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

4 PINS MINI MOLD

DESCRIPTION

PACKAGE DIMENSIONS

The 2SC4093 is an NPN silicon epitaxial transistor designed for low

noise amplifier at VHF, UHF and CATV band.

(Units: mm)

+0.2

−0.3

+0.2

−0.1

It has large dynamic range and good current characteritics, and is

contatined in a 4 pins mini-mold package which enables high-isolation

gain.

2.8

1.5

FEATURES

•

Low Noise

NF = 1.1 dB TYP. @ V^CE= 10 V, I^C= 7 mA, f = 1.0 GHz

•

High Power Gains

S^21e²= 13 dB TYP. @ V^CE= 10 V, I^C= 20 mA, f = 1.0 GHz

5°

ORDERING INFORMATION

PART

5°

QUANTITY

NUMBER

PACKING STYLE

2SC4093-T1 3 Kpcs/Reel. Embossed tape 8 mm wide.

Pin3 (Base), Pin4 (Emitter) face to perforation side

PIN CONNECTIONS

1. Collector

2. Emitter

of the tape.

3. Base

4. Emitter

2SC4093-T2 3 Kpcs/Reel. Embossed tape 8 mm wide.

Pin1 (Collector), Pin2 (Emitter) face to perforation

side of the tape.

* Please contact with responsible NEC person, if you require evaluation

sample.

Unit sample quantity shall be 50 pcs. (Part No.: 2SC4093)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25 C)

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

3.0

100

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

P^T

200

T^j

150

T^stg

65 to +150

Document No. P10365EJ3V1DS00 (3rd edition)

Date Published March 1997 N

Printed in Japan

1991

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC4093R26	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,12V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-143VAR
2SC4093-R26-A	RENESAS	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
2SC4093-R26-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
2SC4093R26-T1	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 12V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-143VAR
2SC4093R26-T2	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 12V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-143VAR
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