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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.8 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.15 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 270 | JESD-30 代码： | R-PDSO-F3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 180 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC4081W | BL Galaxy Electrical |
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Silicon Epitaxial Planar Transistor |
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| 2SC4081W | FOSHAN |
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SOT-323 |
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| 2SC4081XT1 | WILLAS |
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SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors |
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| 2SC4082 | ROHM |
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High-Frequency Amplifier Transistor (18V, 50mA, 1.5GHz) |
|
| 2SC4082L | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-23VAR |
|
| 2SC4082M | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-23VAR |
|
| 2SC4082N | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-23VAR |
|
| 2SC4082P | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-23VAR |
|
| 2SC4082Q | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-23VAR |
|
| 2SC4082T106/L | ROHM |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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