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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> 2SC4082
2SC4082 PDF预览

2SC4082

更新时间： 2024-11-05 22:52:43
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 72K
描述
High-Frequency Amplifier Transistor (18V, 50mA, 1.5GHz)

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2SC4082 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.03最大集电极电流 (IC)：0.05 A
基于收集器的最大容量：0.9 pF集电极-发射极最大电压：18 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：27
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.15 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：1500 MHz
Base Number Matches：1

2SC4082 数据手册

 浏览型号2SC4082的Datasheet PDF文件第2页 
2SC5661 / 2SC4725 / 2SC4082 / 2SC3837K  
Transistors  
High-Frequency Amplifier Transistor  
(18V, 50mA, 1.5GHz)  
2SC5661 / 2SC4725 / 2SC4082 / 2SC3837K  
!External dimensions (Units : mm)  
!Features  
1) High transition frequency. (Typ. fT = 1.5GHz)  
2) Small rbb’⋅Ccand high gain. (Typ. 6ps)  
3) Small NF.  
2SC5661  
1.2  
0.2 0.8 0.2  
( )  
2
(3)  
( )  
1
(1) Base  
0.15Max.  
(2) Emitter  
(3) Collector  
ROHM : VMT3  
2SC4725  
! Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Limits  
30  
Unit  
V
Collector-base voltage  
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
( )  
1
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
18  
V
( )  
2
( )  
3
3
V
I
C
50  
mA  
0.8  
1.6  
2SC5661, 2SC4725  
2SC4082, 2SC3837K  
0.15  
0.2  
Collector power  
dissipation  
P
C
W
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
(1) Emitter  
(2) Base  
(3) Collector  
Tstg  
−55~+150  
ROHM : EMT3  
EIAJ : SC-75A  
0.1Min.  
2SC4082  
!Packaging specifications and hFE  
Type  
2SC4725  
EMT3  
NP  
2SC4082  
UMT3  
NP  
2SC3837K  
SMT3  
2SC5661  
VMT3  
NP  
1.25  
2.1  
Package  
hFE  
NP  
(1) Emitter  
(2) Base  
(3) Collector  
∗
∗
∗
∗
Marking  
Code  
AC  
1C  
AC  
AC  
TL  
T106  
T146  
T2L  
Basic ordering unit  
(pieces)  
ROHM : UMT3  
EIAJ : SC-70  
8000  
3000  
3000  
3000  
0.1to0.4  
Each lead has same dimensions  
∗ Denotes hFE  
2SC3837K  
1.6  
2.8  
(1) Emitter  
(2) Base  
(3) Collector  
ROHM : SMT3  
EIAJ : SC-59  
0.3to0.6  
Each lead has same dimensions  
!Electrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
30  
18  
3
−
−
−
−
−
−
−
−
V
V
I
I
I
C
C
=
=
=
10µA  
1mA  
V
E
10µA  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−
−
−
56  
600  
−
−
−
0.5  
0.5  
0.5  
180  
−
1.5  
13  
−
µA  
µA  
V
V
CB  
EB  
=
=
10V  
Emitter cutoff current  
I
V
2V  
Collector-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
V
−
−
I
C/I  
B
=
20mA/4mA  
h
−
V
V
V
V
V
CE/I  
C
= 10V/10mA  
f
T
1500  
0.9  
6
MHz  
pF  
ps  
dB  
CB  
CB  
CB  
CE  
=
=
=
=
10V , I  
10V , I  
10V , I  
12V , I  
C
E
C
C
=
=
=
=
10mA , f  
0A , f 1MHz  
10mA , f 31.8MHz  
2mA , f 200MHz , Rg = 50Ω  
= 200MHz  
Transition frequency  
Output capacitance  
Collector-base time constant  
Noise factor  
Cob  
rbb'·Cc  
NF  
=
=
4.5  
=
1/1  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC4082L ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-23VAR
2SC4082M ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-23VAR
2SC4082N ETC

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2SC4082Q ETC

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2SC4082T106/L ROHM

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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC4082T106/LM ROHM

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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC4082T106/LN ROHM

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