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2SC3929AR

更新时间： 2024-02-02 20:57:40

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其他 - ETC		晶体晶体管光电二极管放大器
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TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 55V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| SC-70

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2SC3929AR 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.83
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
集电极-发射极最大电压：	35 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	180	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	350 MHz
Base Number Matches：	1

2SC3929AR 数据手册

Transistor

2SC3929, 2SC3929A

P_C— Ta

I_C— V_CE

I_C— I_B

240

200

160

120

160

140

120

100

160

Ta=25˚C

V_CE=5V

Ta=25˚C

140

120

100

I_B=350µA

300µA

250µA

200µA

150µA

100µA

50µA

20 40 60 80 100 120 140 160

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

(

)

( )

(

)

Ambient temperature Ta ˚C

Collector to emitter voltage V_CE

Base current I_BmA

I_C— V_BE

V_CE(sat)— I_C

h_FE— I_C

120

100

720

600

480

360

240

120

I_C/I_B=10

V_CE=5V

25˚C

V_CE=5V

Ta=75˚C

–25˚C

Ta=75˚C

25˚C

–25˚C

0.3

0.1

Ta=75˚C

25˚C

–25˚C

0.03

0.01

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

0.1

0.3

100

0.1

0.3

100

( )

(

)

(

)

Base to emitter voltage V_BE

Collector current I_CmA

f_T— I_E

C_ob— V_CB

NV — V_CE

500

400

300

200

100

160

V_CB=5V

Ta=25˚C

I_E=0

f=1MHz

Ta=25˚C

I_C=1mA

G_V=80dB

Function=FLAT

140

120

100

R_g=100kΩ

22kΩ

4.7kΩ

0.1

– 0.1 – 0.3

–1

–3

–10 –30 –100

0.3

100

(

)

( )

Collector to emitter voltage V_CEV

Emitter current I_EmA

Collector to base voltage V_CB

123 4

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