5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SC3824A
2SC3824A PDF预览

2SC3824A

更新时间： 2024-11-17 22:52:43
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体晶体管功率双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 100K
描述
Silicon NPN triple diffusion planar type

阅读下载

中文翻译

获取价格

2SC3824A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.83
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：900 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：3JESD-30 代码：R-PDSO-G2
JESD-609代码：e6湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：1.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：4 MHzBase Number Matches：1

2SC3824A 数据手册

 浏览型号2SC3824A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC3824A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SC3824A的Datasheet PDF文件第4页 
Power Transistors  
2SC3824, 2SC3824A  
Silicon NPN triple diffusion planar type  
For high breakdown voltage high-speed switching  
Unit: mm  
7.0 0.3  
3.5 0.2  
0˚ to 0.15˚  
3.0 0.2  
2.0 0.2  
■ Features  
• High-speed switching  
• High collector-base voltage (Emitter open) VCBO  
• I type package enabling direct soldering of the radiating fin to the  
printed circuit board, etc. of small electronic equipment  
1.1 0.1  
0.75 0.1 0.4 0.1  
0.9 0.1  
0˚ to 0.15˚  
2.3 0.2  
■ Absolute Maximum Ratings TC = 25°C  
4.6 0.4  
2
Parameter  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
1
3
Collector-base voltage (Emitter open) VCBO  
900  
Collector-emitter voltage (E-B short)  
VCES  
VCEO  
900  
V
2SC3824  
800  
V
Collector-emitter voltage  
(Base open)  
1: Base  
2: Collector  
3: Emitter  
I-G1 Package  
2SC3824A  
900  
Emitter-base voltage (Collector open) VEBO  
7
V
A
Collector current  
Peak collector current  
Collector power  
IC  
ICP  
PC  
1
Note) Self-supported type package is also prepared.  
2
15  
A
W
dissipation  
Ta = 25°C  
1.3  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−55 to +150  
■ Electrical Characteristics TC = 25°C 3°C  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
800  
900  
Typ  
Max  
Unit  
2SC3824  
VCEO  
IC = 1 mA, IB = 0  
V
Collector-emitter voltage  
(Base open)  
2SC3824A  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
Forward current transfer ratio  
ICBO  
IEBO  
hFE1  
hFE2  
VCB = 900 V, IE = 0  
VEB = 7 V, IC = 0  
50  
50  
µA  
µA  
VCE = 5 V, IC = 0.05 A  
VCE = 5 V, IC = 0.5 A  
6
3
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
Turn-on time  
VCE(sat) IC = 0.2 A, IB = 0.04 A  
VBE(sat) IC = 0.2 A, IB = 0.04 A  
1.5  
1.0  
V
V
fT  
ton  
tstg  
tf  
VCE = 10 V, IC = 0.05 A, f = 1 MHz  
4
MHz  
µs  
IC = 0.2 A  
1.0  
3.0  
1.0  
Storage time  
IB1 = 0.04 A, IB2 = − 0.08 A  
VCC = 250 V  
µs  
Fall time  
µs  
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
Publication date: March 2003  
SJD00113AED  
1
1234

中文翻译

下载PDF

与2SC3824A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC3824AH PANASONIC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 900V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SC3824ATX PANASONIC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 900V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SC3824H PANASONIC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SC3824TX PANASONIC

获取价格

 		暂无描述
2SC3825 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-221VAR
2SC3825H PANASONIC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SC3825TX PANASONIC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SC3827-L NEC

获取价格

 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC3827-LT52 NEC

获取价格

 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC3827-LT53 NEC

获取价格

 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili

与2SC3824A相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证