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2SC3807

更新时间： 2024-01-17 08:12:35

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描述
TRANSISTOR (NPN)

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2SC3807 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	CYLINDRICAL, R-PBCY-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.42	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	25 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	600
JESD-30 代码：	R-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	1.1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	260 MHz	Base Number Matches：	1

2SC3807 数据手册

RoHS

2SC3807

2SC3807 TRANSISTOR (NPN)

TO-126C

FEATURES

Power dissipation

P_CM:

1.25

W (Tamb=25℃)

1. BASE

Collector current

I_CM:

2. COLLECTOR

3. EMITTER

1 2 3

Collector-base voltage

V_(BR)CBO

Operating and storage junction temperature range

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test conditions

Ic=10µA, I_E=0

Ic=1mA, I_B=0

MIN

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_E=10µA, I_C=0

µA

V_CB=20V, I_E=0

0.1

I_EBO

Emitter cut-off current

V_EB=10V, I_C=0

h_FE(1)

h_FE(2)

V_CE(sat)

V_BE(sat)

f_T

_CE=5V, I_C=500mA

800

600

3200

DC current gain

V_CE=5V, I_C=1A

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

I_C=1A, I_B=20mA

0.5

1.2

MHz

V_CE=10V, I_C=50mA

260

C_ob

Collector output capacitance

Fall time

_CB=10V, I_E=0, f=1MHz

t_f

0.1

µS

Vcc=10V, Ic=0.7A

I_B1=-I_B2=0.1A

t_s

1.35

µS

Storage time

WEJ ELECTRONIC CO.,LTD

Http:// www.wej.cn

E-mail:wej@yongerjia.com

WEJ ELECTRONIC CO.

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