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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> 2SC3809
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2SC3809

更新时间： 2024-02-25 21:08:27
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体开关微波放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 37K
描述
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR MICROWAVE AMPLIFIERS AND ULTRA HIGH SPEED SWITCHINGS INDUSTRIAL USE

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2SC3809 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：MICROWAVE, S-CTMW-F5
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.84
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.1 A
基于收集器的最大容量：1 pF集电极-发射极最大电压：12 V
配置：COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：50
JESD-30 代码：S-CTMW-F5元件数量：2
端子数量：5封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：SQUARE封装形式：MICROWAVE
极性/信道类型：NPN子类别：BIP RF Small Signal
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：TRIPLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：7000 MHz
Base Number Matches：1

2SC3809 数据手册

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DATA SHEET  
SILICON TRANSISTOR  
2SC3809  
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR  
FOR MICROWAVE AMPLIFIERS AND ULTRA HIGH SPEED SWITCHINGS  
INDUSTRIAL USE  
FEATURES  
PACKAGE DIMENSIONS (in millimeters)  
• The 2SC3809 is an NPN silicon epitaxial dual transistor having  
a large-gain-bandwidth product performance in a wide operating  
current range.  
5.0 MIN.  
3.5+0.3 5.0 MIN.  
-
0.2  
3
2
• Dual chips in one package can achieve high performance for  
differential amplifiers and current mode logic (CML) circuits.  
4
1
5
0.6 ± 0.1  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)  
PARAMETER  
Collector to Base Voltage  
Collector to Emitter Voltage  
Emitter to Base Voltage  
Collector Current  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
RATINGS  
20  
UNIT  
V
(#492C)  
12  
V
PIN CONNECTIONS  
3
V
3
2
C1  
C2  
100/unit  
300/unit  
90/unit  
200  
mA  
mW  
°C/W  
°C  
4
1
Total Power Dissipation  
Thermal Resistance (junction to case)  
Junction Temperature  
PT  
B
1
B2  
Rth (j-c)  
Tj  
5
E
Storage Temperature  
Tstg  
-
65 to +200  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C)  
PARAMETER  
Collector to Base Breakdown Voltage  
Emitter to Base Breakdown Voltage  
Collector to Emitter Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
SYMBOL  
BVCBO  
BVEBO  
BVCEO  
ICBO  
TEST CONDITIONS  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
V
IC = 100 µA  
20  
3
IE = 100 µA, IC = 0  
V
IC = 1 mA, RBE = ∞  
12  
V
VCB = 10 V, IC = 0  
1.0  
1.0  
250  
1.0  
30  
µA  
µA  
IEBO  
VEB = 1 V, IE = 0  
DC Current Gain  
hFE  
VCE = 10 V, IC = 20 mA  
VCE = 10 V, IC = 20 mA  
VCE = 10 V, IC = 20 mA  
VCE = 10 V, IC = 20 mA  
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1.0 MHz  
50  
Note 1  
hFE Ratio  
h
FE1/hFE2  
VBE (on)  
0.6  
Difference of Base to Emitter Voltage  
Gain Bandwidth Product  
mV  
GHz  
pF  
Note 2  
fT  
Cre  
6
7
Note 3  
Feedback Capacitance  
0.75  
1.0  
Notes 1. hFE1 is the smaller hFE value of the 2 transistors.  
2. Measured using a single-type device (equivalent to the 2SC3603).  
3. Measured with a 3-terminal bridge, terminals other than the collector and base of the device under test should be connected to  
the guard terminal of the bridge.  
Document No. P11697EJ1V0DS00 (1st edition)  
Date Published July 1996 P  
Printed in Japan  
1996  
©
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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