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2SC3808

更新时间: 2024-11-29 22:52:43
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三洋 - SANYO 晶体放大器晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 88K
描述
High-hFE, Low-Frequency General-Purpose Amp Applications

2SC3808 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:SIP
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.57
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):2 A
集电极-发射极最大电压:60 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):600JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):15 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):170 MHz

2SC3808 数据手册

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