5秒后页面跳转
2SC3808 PDF预览

2SC3808

更新时间: 2024-01-04 03:36:45
品牌 Logo 应用领域
三洋 - SANYO 晶体放大器晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 88K
描述
High-hFE, Low-Frequency General-Purpose Amp Applications

2SC3808 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:SIP
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.57
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):2 A
集电极-发射极最大电压:60 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):600JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):15 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):170 MHz

2SC3808 数据手册

 浏览型号2SC3808的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC3808的Datasheet PDF文件第3页 

与2SC3808相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC3809 NEC

获取价格

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR MICROWAVE AMPLIFIERS AND ULTRA HIGH SPEED SWITCHINGS
2SC380TM WINNERJOIN

获取价格

TRANSISTOR (NPN)
2SC380TM TOSHIBA

获取价格

NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (HIGH FREQUENCY AMPLIFIER APPLICATIONS)
2SC380TM SECOS

获取价格

NPN Plastic-Encapsulated Transistor
2SC380TM CJ

获取价格

TO-92
2SC380TM FOSHAN

获取价格

TO-92
2SC380TMO ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92
2SC380TM-O TOSHIBA

获取价格

TRANSISTOR 50 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, SC-43, 3 PIN, BIP General
2SC380TM-OTPE2 TOSHIBA

获取价格

TRANSISTOR 50 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Small
2SC380TMR ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92