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2SC3623K

更新时间： 2024-01-23 01:33:27

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其他 - ETC		晶体晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
4页	130K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 150MA I(C) \| TO-221VAR

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2SC3623K 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.77
最大集电极电流 (IC)：	0.15 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	1000
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
Base Number Matches：	1

2SC3623K 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTORS

2SC3623, 3623A

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND SWITCHING

FEATURES

PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)

•

High h^FE:

h^FE= 1000 to 3200 @V^CE= 5.0 V, I^C= 1.0 mA

Low V^CE(sat):

V^CE(sat)= 0.07 V TYP. @I^C/I^B= 50 mA/5.0 mA

High V^EBO:

V^EBO: 12 V (2SC3623)

V^EBO: 15 V (2SC3623A)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)

Ratings

2SC3623 2SC3623A

Parameter

Symbol

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current (DC)

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C(DC)

P^T

Electrode connection

1. Emitter (E)

2. Collector (C)

3. Base (B)

150

250

150

°C

T^j

T^stg

−55 to +150

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Document No. D13521EJ4V0DS00

Date Published April 2002 N CP(K)

Printed in Japan

1998

2002

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC3623K-A	NEC	获取价格	暂无描述
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2SC3624	NEC	获取价格	AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER, SWITCHING NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD
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2SC3624A	RENESAS	获取价格	150mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD PACKAGE-3
2SC3624A	NEC	获取价格	AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER, SWITCHING NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD
2SC3624A-L	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTI